Sự khác biệt giữa IGBT và Thyristor
IGBT và Thyristor
Thyristor và IGBT (Transistor Lưỡng cực Cổng cách ly) là hai loại thiết bị bán dẫn với ba đầu cuối và cả hai trong số chúng được sử dụng để kiểm soát dòng. Cả hai thiết bị có một thiết bị đầu cuối điều khiển được gọi là 'cổng', nhưng có các hiệu trưởng khác nhau của hoạt động.
Thyristor
Thyristor được làm bằng bốn lớp bán dẫn xen kẽ (dưới dạng P-N-P-N), do đó, bao gồm ba nút nối PN. Trong phân tích, đây được coi là một cặp bóng bán dẫn kết hợp chặt chẽ (một PNP và các cấu hình NPN khác). Các lớp bán dẫn ngoài cùng P và N được gọi là anode và catốt tương ứng. Điện cực kết nối với lớp bán dẫn bên trong lớp P được gọi là 'cổng'.
Trong hoạt động, thyristor hoạt động khi một xung cung cấp cho cổng. Nó có ba chế độ hoạt động được gọi là 'chế độ chặn ngược', 'chế độ chặn chuyển tiếp' và 'chế độ dẫn hướng về phía trước'. Khi cổng được kích hoạt với xung, thyristor chuyển sang chế độ dẫn hướng tiến và tiếp tục tiến hành cho đến khi dòng điện chuyển tiếp trở nên nhỏ hơn ngưỡng 'hiện tại đang giữ'.
Thyristor là các thiết bị nguồn và hầu hết thời gian chúng được sử dụng trong các ứng dụng có dòng điện và điện áp cao. Các ứng dụng thyristor được sử dụng nhiều nhất là kiểm soát luân phiên dòng.
IGBT là một thiết bị bán dẫn có ba thiết bị đầu cuối được gọi là 'Emitter', 'Collector' và 'Gate'. Đây là một loại transistor, có thể xử lý một lượng điện năng cao hơn và có tốc độ chuyển mạch cao hơn làm cho nó hiệu quả cao. IGBT đã được giới thiệu vào thị trường vào những năm 1980.IGBT có các tính năng kết hợp của cả MOSFET và bóng bán dẫn nối lưỡng cực (BJT). Nó là cổng như lái xe như MOSFET và có đặc điểm điện áp hiện tại như BJTs. Do đó, nó có những lợi thế của cả khả năng xử lý cao hiện tại và dễ kiểm soát. Các mô-đun IGBT (bao gồm một số thiết bị) xử lý kilowatt điện.
Tóm lại:
Khác biệt giữa IGBT và Thyristor
