Sự khác biệt giữa IGBT và GTO
IGBT và GTO
GTO (Thyristor Ngõ vào Gate) và IGBT (Transistor Lưỡng cực Hai cổng cách ly) là hai loại thiết bị bán dẫn có ba thiết bị đầu cuối. Cả hai đều được sử dụng để kiểm soát dòng chảy và cho các mục đích chuyển đổi. Cả hai thiết bị có một thiết bị đầu cuối điều khiển được gọi là 'cổng', nhưng có các hiệu trưởng khác nhau của hoạt động.
GTO (Thyristor khóa cửa)
GTO được làm từ bốn loại bán dẫn P và N, và cấu trúc của thiết bị không khác gì so với một thyristor bình thường. Trong phân tích, GTO cũng được xem như cặp đôi bóng bán dẫn (một PNP và các cấu hình NPN khác), giống như đối với các thyristor thông thường. Ba thiết bị đầu cuối của GTO được gọi là 'anode', 'cathode' và 'gate'.
Trong hoạt động, thyristor hoạt động khi một xung cung cấp cho cổng. Nó có ba chế độ hoạt động được gọi là 'chế độ chặn ngược', 'chế độ chặn chuyển tiếp' và 'chế độ dẫn hướng về phía trước'. Khi cổng được kích hoạt với xung, thyristor chuyển sang chế độ dẫn hướng tiến và tiếp tục tiến hành cho đến khi dòng điện chuyển tiếp trở nên nhỏ hơn ngưỡng 'hiện tại đang giữ'.
Ngoài các tính năng của thyristor thông thường, trạng thái "tắt" của GTO cũng có thể điều khiển qua xung âm. Trong các thyristor bình thường, chức năng 'off' sẽ xảy ra tự động.GTO là thiết bị nguồn, và chủ yếu được sử dụng trong các ứng dụng hiện tại xen kẽ.
ICDT (IGBT)
IGBT là một thiết bị bán dẫn có ba thiết bị đầu cuối được gọi là 'Emitter', 'Collector' và 'Gate'. Nó là một loại bóng bán dẫn có thể xử lý một lượng điện năng cao hơn và có tốc độ chuyển mạch cao hơn làm cho nó hiệu quả cao. IGBT đã được giới thiệu vào thị trường vào những năm 1980.
Sự khác biệt giữa IGBT và GTO là gì?